Intel芯片廠產(chǎn)能將提升30% 五年后首發(fā)18A工藝及下代EUV光刻機(jī)
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- 編輯:亂走位的奧巴馬
今年3月份Intel新任CEO基辛格宣布了全新的IDM 2.0戰(zhàn)略,此后Intel開(kāi)始了大規(guī)模的工廠擴(kuò)建計(jì)劃,在美國(guó)、歐洲、亞洲等地區(qū)都會(huì)建晶圓制造及封測(cè)工廠,未來(lái)五年內(nèi)產(chǎn)能提升30%,而且新工藝頻發(fā)。
今年9月份,Intel已經(jīng)在亞利桑那州動(dòng)工建設(shè)新的晶圓廠,投資高達(dá)200億美元,兩座工廠分別會(huì)命名為Fab 52、Fab 62,并首次透露這些工廠將會(huì)在2024年量產(chǎn)20A工藝——這與之前預(yù)期的不同,原本以為會(huì)量產(chǎn)的是Intel 4這樣的下兩代工藝。
在歐洲,Intel之前宣布了未來(lái)十年內(nèi)有望投資1000億美元的龐大計(jì)劃,目前除了擴(kuò)建愛(ài)爾蘭的晶圓廠之外,還有望在德國(guó)建設(shè)新的晶圓廠,在意大利建設(shè)新的封測(cè)廠,只不過(guò)現(xiàn)在還沒(méi)有正式公布,要到明年初才能決定。
前不久Intel還宣布在馬來(lái)西亞投資71億美元擴(kuò)建封測(cè)廠,這里是Intel的芯片封測(cè)基地。
業(yè)界估計(jì),Intel此番大舉擴(kuò)張,預(yù)計(jì)在5年內(nèi),也就是2026年的時(shí)候產(chǎn)能將增長(zhǎng)30%以上,有望追趕臺(tái)積電。
除了產(chǎn)能提升之外,Intel的芯片工藝也會(huì)突飛猛進(jìn),從今年底的12代酷睿使用的Intel 7工藝開(kāi)始,到2025年的四年里升級(jí)五代工藝——分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A,其中前面三代工藝還是基于FinFET晶體管的,從Intel 4開(kāi)始全面擁抱EUV光刻工藝。
至于后面的兩代工藝,20A首次進(jìn)入埃米級(jí)時(shí)代,放棄FinFET晶體管,擁有兩項(xiàng)革命性技術(shù),RibbonFET就是類似三星的GAA環(huán)繞柵極晶體管,PoerVia則首創(chuàng)取消晶圓前側(cè)的供電走線,改用后置供電,也可以優(yōu)化信號(hào)傳輸。
20A工藝在2024年量產(chǎn),2025年則會(huì)量產(chǎn)改進(jìn)型的18A工藝,這次會(huì)首發(fā)下一代EUV光刻機(jī),NA數(shù)值孔徑會(huì)從現(xiàn)在的0.33提升到0.55以上。
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