Zen3性能再提升15% AMD研究3D緩存多年:帶寬超2TB/s
- 來源:3DM整理
- 作者:文樂生
- 編輯:亂走位的奧巴馬
今年底AMD很有可能發(fā)布增強版的7nm Zen3處理器,為了對付Intel的12代酷睿Alder Lake,它將用上3D V-Cache緩存技術(shù),額外增加了128MB緩存,總計192MB。
該技術(shù)今年6月份臺北電腦展上首次公布,展示用的是一顆銳龍9 5900X 12核心處理器,原本內(nèi)部集成兩個CCD計算芯片、一個IO輸入輸出芯片。
經(jīng)過改造后,它的每一個計算芯片上都堆疊了64MB SRAM,官方稱之為“3D V-Cache”,可作為額外的三級緩存使用,這樣加上處理器原本集成的64MB,總的三級緩存容量就達到了192MB。
AMD在其中應(yīng)用了直連銅間結(jié)合、硅片間TSV通信等技術(shù),實現(xiàn)了這種混合式的緩存設(shè)計。
根據(jù)AMD的數(shù)據(jù),改進之后,對比標準的銳龍9 5900X處理器,頻率都固定在4GHz,3D V-Cache緩存加入之后,游戲性能平均提升了多達15%。
對于該技術(shù),Techinsights的研究員Yuzo Fukuzaki日前公布了更多細節(jié),稱AMD已經(jīng)研究該技術(shù)多年,使用了TSV硅通孔技術(shù)將額外的128MB緩存集成到芯片上,面積6x6mm,帶寬超過2TB/s。
他在文章中指出,為了應(yīng)對memory_wall問題,緩存內(nèi)存的設(shè)計很重要,這是緩存密度在工藝節(jié)點上的趨勢,邏輯上的3D內(nèi)存集成可以有助于獲得更高的性能。
隨著AMD開始實現(xiàn)Chiplet CPU整合,他們可以使用KGD(Known Good Die)來擺脫模具的低產(chǎn)量問題。在IRDS(International Roadmap Devices and Systems)中,這一創(chuàng)新預(yù)計將在2022年實現(xiàn)。
TechInsights以反向方式深入研究了3d V-Cache的連接方式,并提供了以下發(fā)現(xiàn)的結(jié)果:
TSV間距:17μm
KOZ尺寸:6.2 x 5.3μm
TSV數(shù)量:粗略估計大約23000個
TSV工藝位置:在M10-M11之間(共15種金屬,從M0開始)
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