三星推出業(yè)界首款采用HKMG的DDR5內(nèi)存 單條容量達(dá)512GB

據(jù)TechPowerup報(bào)道，三星宣布推出業(yè)界首款單條容量512GB的DDR5內(nèi)存模組，采用了High-K Metal Gate（HKMG）的DDR5內(nèi)存顆粒，以降低漏電率。新的DIMM是為下一代使用DDR5內(nèi)存的服務(wù)器設(shè)計(jì)的，包括使用AMD代號(hào)Genoa的Epyc系列處理器和英特爾代號(hào)Sapphire Rapids的Xeon系列處理器的服務(wù)器。

三星利用TSV硅穿孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)8層堆疊，以確保低功耗和高質(zhì)量的信號(hào)傳輸，單顆DRAM芯片容量為16Gb， 512GB的DDR5內(nèi)存模組總共需要32顆。新的DDR5內(nèi)存的性能比DDR4內(nèi)存提高了一倍，最高可達(dá)7200Mbps的傳輸速率，可以滿足超算、AI和機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域的計(jì)算要求。

這不是三星第一次使用HKMG工藝，早在2018年就開始應(yīng)用在GDDR6顯存上，所以這款DDR5內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率應(yīng)該不低。三星表示由于DDR5電壓降低、HKMG的應(yīng)用和其他改進(jìn)的幫助下，其功耗比前一代產(chǎn)品降低了13%。三星電子DRAM部門副總裁Young-Soo Sohn表示：

“三星是目前唯一一家能夠使用HKMG制造內(nèi)存芯片的半導(dǎo)體廠商。通過將這種創(chuàng)新工藝引入到DRAM制造，我們可以為客戶提供高性能、高能效的內(nèi)存解決方案，為醫(yī)學(xué)研究、金融市場(chǎng)、自動(dòng)駕駛、智慧城市以及其他領(lǐng)域所需的應(yīng)用提供動(dòng)力?！?

如果服務(wù)器處理器的內(nèi)存配置為八通道，且每通道有兩個(gè)插槽，三星的512GB DDR5內(nèi)存模組可以使每個(gè)處理器配備8TB的內(nèi)存。三星表示已經(jīng)開始和服務(wù)器領(lǐng)域的合作伙伴進(jìn)行測(cè)試，預(yù)計(jì)下一代服務(wù)器處理器上市的時(shí)候，也會(huì)隨之得到認(rèn)證。