明年高通驍龍8平臺將支持LPDDR6 帶來更高的內(nèi)存帶寬

明年第四代驍龍8平臺對于高通來說非常重要，將會配備融合了NUVIA技術(shù)的定制Oryon內(nèi)核，很可能是其首個采用3nm工藝制造的芯片，或許還會帶來其他方面的升級，比如引入對更快、更高效內(nèi)存的支持。

近日有網(wǎng)友透露，高通第四代驍龍8平臺將支持新一代的LPDDR6，定制的Oryon內(nèi)核帶來的性能提升可能是高通轉(zhuǎn)向更快內(nèi)存的原因之一，可能會受益于LPDDR6標準所賦予的更高內(nèi)存帶寬，以更好地發(fā)揮性能潛力。

目前三星的LPDDR5和LPDDR5X之間，存在30%的帶寬差距，同時還有著20%的功耗差異，而LPDDR6顯然會更有優(yōu)勢，對于旗艦智能手機而言會更高效。三星正走在LPDDR6技術(shù)的最前沿，雖然暫時還不清楚LPDDR6的具體標準或者技術(shù)指標。

據(jù)了解，第四代驍龍8的CPU部分將采用2+6架構(gòu)，以兩個代號“Nuvia Phoenix”的性能核搭配六個代號“Nuvia Phoenix M”的能效核，有泄露的測試成績顯示，在Geekbench 5的多線程基準測試中的成績甚至超過蘋果的M2芯片。

最近有報道稱，高通未來驍龍8平臺或采用雙代工廠策略，分別為臺積電N3E工藝和三星的3nm GAA工藝，有可能在2024年年初實現(xiàn)。常規(guī)版本的第四代驍龍8芯片采用臺積電N3E工藝制造，而三星3nm GAA工藝制造的版本有可能稱為“Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy”，專門用于Galaxy S25系列智能手機。