RTX 3080 Ti工程卡曝光：三星8nm工藝 4倍光追性能提升

關(guān)于NVIDIA安培顯卡，圈內(nèi)有新消息傳來。Moore’s Law is Dead指出，由于滿足不了NVIDIA的預(yù)訂產(chǎn)能，今年推出的RTX 30系列顯卡，GPU核心均基于三星8nm打造，臺積電7nm EUV需要等到明年上半年就緒，這意味著，后續(xù)的升級該款RTX 30xx Super才有機會換裝7nm核心。

爆料稱認為，這會讓7nm的AMD RDNA2獨顯(“Big Navi”)處于相對有利的位置。關(guān)于GA102核心RTX工程樣卡的細節(jié)參數(shù)，爆料也做出修正，以下是最新匯總，據(jù)說GA102會同時用在RTX 3080 Ti(一說叫3090)和RTX 3080上——

- 罕見的三風(fēng)扇散熱設(shè)計

- 12Pin外接供電接口取代8Pin

- 基礎(chǔ)頻率2GHz，加速2.2GHz

- 默頻下功耗300瓦左右

- 5376個CUDA，12GB顯存，18Gbps帶寬

- 4K繪圖性能提升了40%

- 較RTX 2080 Ti的IPC有堅實提升，光追性能增加3~4倍

- 首發(fā)支持DLSS 3.0