長江存儲(chǔ)在美國起訴美光 指控對(duì)方侵犯其11項(xiàng)專利

近日，長江存儲(chǔ)（YMTC）在美國加州北部地區(qū)的地方法院對(duì)美光提起訴訟，指控對(duì)方侵犯其11項(xiàng)專利，涉及3D NAND閃存及DRAM產(chǎn)品，要求法院勒令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，并支付相關(guān)的專利使用費(fèi)。

據(jù)Blocks & Files報(bào)道，長江存儲(chǔ)稱，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND閃存以及其他一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品（Y2BM系列）侵犯了長江存儲(chǔ)在美國提交的專利或?qū)＠暾?qǐng)。

其實(shí)早在去年11月，長江存儲(chǔ)已經(jīng)在美國加州北部地區(qū)的地方法院向美光提起訴訟，指控對(duì)方侵犯其8項(xiàng)專利與3D NAND閃存的專利。此外，長江存儲(chǔ)還在上個(gè)月，在美國加州北部地區(qū)的聯(lián)邦法院提起訴訟，指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁Roslyn Layton散布虛假信息，試圖破壞長江存儲(chǔ)的市場(chǎng)聲譽(yù)和商業(yè)關(guān)系。

盡管長江存儲(chǔ)在2022年底被美國商務(wù)部列入了實(shí)體清單，無法從美國公司獲得先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備來制造128層及以上的3D NAND閃存，但是仍然努力地通過原有設(shè)備及國產(chǎn)設(shè)備繼續(xù)開發(fā)新技術(shù)?；赬tacking 3.0架構(gòu)的芯片仍在不斷生產(chǎn)，并且在今年早些時(shí)候，成功地將3D QLC NAND的耐久性大幅提高到3D TLC NAND的水平。此外，長江存儲(chǔ)還在開發(fā)基于Xtacking 4.0架構(gòu)的芯片，最快可能會(huì)在今年末出現(xiàn)，層數(shù)超過了300層。