單條128GB DDR5內(nèi)存出樣：單條1TB也不遠(yuǎn)了

美光宣布，單條128GB容量的DDR5內(nèi)存已經(jīng)出樣，使用的是其今年夏初宣布的32Gb(4GB) DDR5顆粒。

最關(guān)鍵的是，美光這種32Gb DDR5顆粒，是單芯片設(shè)計(jì)，而非多芯片整合封裝，因此存儲(chǔ)密度更高，也更容易做成更大容量的內(nèi)存條。

但關(guān)于它的具體信息所知甚少，美光只公布了采用1βnm制造工藝，基于DUV多重曝光，而沒有使用EUV。

頻率、功耗、電壓什么的，均未公開，理論上會(huì)比使用兩顆16Gb更省電。

有了這種顆粒，只需四顆就能做成標(biāo)準(zhǔn)的桌面用32GB、服務(wù)器用128GB內(nèi)存條，甚至可以達(dá)成單條1TB，那樣的話單路系統(tǒng)最多就是12TB！

不過，美光并未公布128GB DDR5內(nèi)存條何時(shí)規(guī)模出貨，1TB何時(shí)推出，只是預(yù)計(jì)將在明年初自家DDR5的出貨量就會(huì)超過DDR4。

另外，三星也已經(jīng)完成32Gb DDR5顆粒，12nm級工藝。